今年NAND漲價的姿勢讓人看著不舒服，上游晶圓廠上有意控制產(chǎn)能導(dǎo)致供貨壓力，手機也因此漲價，就連華為這樣的大廠都曝出了手機閃存門，NAND漲價著實害人不淺，有人說明年漲價的態(tài)勢還將繼續(xù)。

或許正因為如此，唱衰磁盤的聲音似乎也降低了幾個分貝。Trendfocus CQ3'2017的數(shù)據(jù)顯示，硬盤出貨量從1.03億美元增長到了1.05億美元。

不管閃存盤漲價的態(tài)勢是不是常態(tài)，磁盤勢力仍舊在原來的路上越走越遠，8碟片，充氦氣，12TB，14TB，16TB，18TB，有的已經(jīng)實現(xiàn)，有的正在路上。

2013年希捷說宣有信心在2020年之做出20TB硬盤，當時這是基于SMR（疊瓦記錄）說的，現(xiàn)在常見的6TB、8TB以及12TB都是采用的PMR，近來，談?wù)摰谋容^熱的是HAMR（熱輔助磁記錄），但是HAMR還沒有正式的產(chǎn)品拿出來。

最近的最近，西數(shù)又開始開發(fā)MAMR（微波輔助磁記錄技術(shù)），以這一技術(shù)為基礎(chǔ)，磁盤容量將繼續(xù)保持一個增長態(tài)勢，預(yù)計，到2030年磁盤容量能提升到100 TB水平。

那么，MAMR相對于此前的技術(shù)有哪些優(yōu)勢呢？

我們從PMR說起，采用垂直磁記錄（簡稱PMR）技術(shù)的盤片每平方英寸的容量常見的是1Tb（希捷據(jù)的能做到1.3Tb），增大存儲密度會降低可靠性，增長空間非常有限了，HGST的氦氣盤做到12TB已經(jīng)近乎極限了，所以，需要新的改進技術(shù)。

于是后來就有了HAMR，HAMR改變磁極屬性的方法有所改進（加熱方式），存儲密度可以有較大提升。基于HAMR技術(shù)，理論上存儲密度可以做到每平方英寸1Tb提升到5Tb以上，另外，希捷表示2018年將會有基于HAMR的16TB以及18TB硬盤推出。

不過，HAMR反復(fù)加熱與冷卻也會降低磁盤的可靠性和壽命，有沒有辦法解決HAMR的問題呢？MAMR用自旋扭矩振蕩器（簡稱STO）生成微波來改變磁性，避免了HAMR加熱帶來的問題。

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